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产品详情
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  • 产品名称：分子束外延生长系统

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  • 产品厂商：其它品牌
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简单介绍：
基于于团队成员的多年研发经验，我们发展和制造了分子束外延生长系统MBE及各种功能的源炉。每个产品都是由MBE专业人才进行组装和测试的。分子束外延生长系统MBE是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
详情介绍：

分子束外延生长系统的特点：

1. 由脉冲激光做溅射源，将预外延材料原子溅射出来在衬底外延沉积得到单晶薄膜，RHEED电子枪做原位监测

2. 可放多块不同尺寸靶材, 靶台可公自转，靶基距连续可调

3. 样品台衬底可自转，可加热


分子束外延生长系统MBE系统主要参数规格：
● ID 550 mm
● 应用于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 进样室和缓冲腔室
● 线性样品传输系统
● 标准法兰孔数目(标准11个，可按要求增加3个)
● 束流源，气体源，样品台
● 抽真空系统(离子吸附泵，分子泵，低温泵等)
● 原位表征能力
● 软件/硬件控制系统
● 额外要求可定制




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